Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia robustas.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 1500 A |
| Corrente pulsada de coletor (Icm) | 3000 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 3.0 V (típico) |
| Perda de condução (Pcond) | 100 W (típico) |
| Perda de chaveamento (Psw) | 250 W (típico) |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3
- Interface de gate isolada
- Baixa indutância interna
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FZ1500R33HL3?
O módulo IGBT FZ1500R33HL3 da Infineon suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 3300 V.
Quais as temperaturas de operação do FZ1500R33HL3?
O FZ1500R33HL3 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +125 °C.
Quais são algumas das características do FZ1500R33HL3?
O FZ1500R33HL3 possui tecnologia IGBT 3, interface de gate isolada, baixa indutância interna e alta densidade de potência.