Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e de transporte.
Especificações
| Corrente nominal contínua (Ic) | 1200A |
|---|---|
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2V (típico) |
| Corrente de pico (Icm) | 2400A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20V |
| Tensão de isolamento (Viso) | 4000V AC |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3300V
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Construção robusta para aplicações exigentes
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo Infineon FZ1200R33HE3?
A faixa de temperatura de operação do módulo Infineon FZ1200R33HE3 é de -40°C a +125°C.
Qual a tensão de isolamento do módulo?
O módulo Infineon FZ1200R33HE3 possui tensão de isolamento (Viso) de 4000V AC.
Qual a tensão de gate-emissor (Vge) aceita pelo módulo?
A tensão de gate-emissor (Vge) do módulo Infineon FZ1200R33HE3 é ±20V.