Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Construção robusta para aplicações industriais
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF800R17KE3?
O módulo IGBT FF800R17KE3 da Infineon possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Quais as características de temperatura do FF800R17KE3?
O FF800R17KE3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C. A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.02 K/W.
Quais as principais características e tecnologias do FF800R17KE3?
O FF800R17KE3 utiliza a tecnologia IGBT 4, oferecendo baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência. Possui construção robusta para aplicações industriais e corrente nominal do coletor (Ic) de 800 A.