Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua (Ic) | 650 A |
| Corrente nominal pulsada (Icm) | 1300 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.85 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-IGBT |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a configuração do módulo FF650R17IE4V?
O módulo FF650R17IE4V possui configuração de 6-IGBT e utiliza o package EconoDUAL™ 3.
Quais as temperaturas de operação do FF650R17IE4V?
O módulo FF650R17IE4V opera em uma faixa de temperatura que vai de -40 °C a +125 °C.
Qual a tensão nominal e corrente nominal do FF650R17IE4V?
A tensão nominal (Vces) do FF650R17IE4V é de 1700 V, enquanto a corrente nominal contínua (Ic) é de 650 A, com corrente nominal pulsada (Icm) de 1300 A.