Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 2400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FD1200R17KE3-K?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características de corrente do FD1200R17KE3-K?
A corrente nominal contínua do coletor (Ic) é 1200 A, e a corrente nominal pulsada do coletor (Icm) é 2400 A.
Quais as aplicações típicas e tecnologias do FD1200R17KE3-K?
O FD1200R17KE3-K é projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável. Ele utiliza a tecnologia IGBT 4, oferecendo baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência e isolamento galvânico integrado.