Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Isolamento térmico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS100R12KT3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo FS100R12KT3 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de corrente e configuração do FS100R12KT3?
O FS100R12KT3 possui corrente nominal contínua do coletor (Ic) de 100 A, corrente nominal pulsada do coletor (Icm) de 300 A e é configurado em um pacote EconoDUAL™ 3 com configuração 6-pack.