Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 150 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Tipo de pacote | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 300 A |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.25 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais |
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo FS150R12KE3G?
O módulo IGBT FS150R12KE3G da Infineon suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do FS150R12KE3G?
O FS150R12KE3G é comumente utilizado em inversores solares, sistemas de energia eólica e fontes de alimentação industriais.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS150R12KE3G?
O FS150R12KE3G pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.