Infineon FF150R12ME3G

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 150 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tecnologia IGBT Trench Fieldstop
Diodo de roda livre Fast Diode
Configuração 3-fase ponte
Tensão de isolamento (Viso) 2500 Vrms
Corrente de pico do coletor (Icm) 300 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Package EconoDUAL™ 3
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.21 K/W

FAQ

Qual a tensão de isolamento do módulo FF150R12ME3G?

A tensão de isolamento do módulo FF150R12ME3G é de 2500 Vrms.

Qual a faixa de temperatura de operação do FF150R12ME3G?

O módulo FF150R12ME3G opera em temperaturas entre -40 °C a +125 °C.

Qual a corrente contínua do coletor e a corrente de pico do coletor do FF150R12ME3G?

A corrente contínua do coletor (Ic) do FF150R12ME3G é 150 A, e a corrente de pico do coletor (Icm) é 300 A.

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