Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 600 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Tipo de Diodo | Diodo de roda livre rápido (Fast Diode) |
| Configuração | Ponte completa (Full Bridge) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 2.5 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Resistência Térmica (Rthjc) | 0.03 K/W |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, drives de motor AC, fontes de alimentação industriais. |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FF600R12ME4P?
O módulo IGBT FF600R12ME4P da Infineon suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o FF600R12ME4P pode operar?
O FF600R12ME4P foi projetado para operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a 125 °C.
Quais são algumas das aplicações típicas do FF600R12ME4P?
O FF600R12ME4P é adequado para diversas aplicações, incluindo inversores solares, sistemas de energia eólica, drives de motor AC e fontes de alimentação industriais.