Infineon FF400R12KT3P_E

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Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência industrial e de veículos elétricos.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência industrial e de veículos elétricos.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 400 A
Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) 800 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 2.5 A
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.03 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 2
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores de energia, acionamentos de motor, fontes de alimentação

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal e corrente suportadas pelo módulo?

O módulo Infineon FF400R12KT3P_E possui tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V e corrente nominal contínua do coletor (Ic) de 400 A. Suporta uma corrente nominal pulsada do coletor (Icm) de 800 A.

Quais as aplicações típicas do módulo?

O módulo é projetado para aplicações em inversores de energia, acionamentos de motor e fontes de alimentação.

Qual a faixa de temperatura de operação e qual o package do módulo?

A faixa de temperatura de operação do módulo é de -40 °C a +125 °C. O package utilizado é o EconoDUAL™ 3.

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