Infineon FZ800R45KL3_B5

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 4500 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 800 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 1600 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.4 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) ±200 mA
Package Module
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.02 K/W
Temperatura de operação -40°C a +125°C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FZ800R45KL3_B5?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do módulo de potência FZ800R45KL3_B5 é de 4500 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FZ800R45KL3_B5?

O módulo FZ800R45KL3_B5 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.

Quais são as aplicações típicas do FZ800R45KL3_B5?

O FZ800R45KL3_B5 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.

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