Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 4 |
| Diodo de roda livre | Emitter Controlled HE |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Temperatura de operação máxima da junção (Tj) | 150 °C |
| Package | Module |
| Número de chaves | 6 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.02 K/W |
| Tensão de isolamento (Viso) | 4000 V |
FAQ
Qual a tensão de isolamento do módulo FZ1200R17HE4P?
A tensão de isolamento do módulo é de 4000 V.
Qual a temperatura máxima de operação da junção do FZ1200R17HE4P?
A temperatura máxima de operação da junção (Tj) é de 150 °C.
Qual a corrente contínua do coletor do módulo FZ1200R17HE4P e qual a tecnologia IGBT utilizada?
A corrente contínua do coletor (Ic) é de 1200 A e a tecnologia IGBT utilizada é TRENCHSTOP™ 4.