Infineon FZ2400R17HE4_B9

Avaliado como 5.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e renovável.

SKU: FZ2400R17HE4_B9 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e renovável.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 2400 A
Corrente nominal do coletor contínua (Ic,cont) 1200 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico)
Resistência térmica junção carcaça (RthJC): 0.03 K/W
Tensão de isolamento (Viso) 4000 V
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a tensão nominal de isolamento do FZ2400R17HE4_B9?

A tensão de isolamento (Viso) do módulo é de 4000 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FZ2400R17HE4_B9?

A faixa de temperatura de operação do FZ2400R17HE4_B9 é de -40 °C a +125 °C.

Quais as principais características do IGBT utilizado no FZ2400R17HE4_B9?

O FZ2400R17HE4_B9 utiliza tecnologia IGBT 4, possui diodo de freio rápido integrado (Fast Diode), baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência.

Entre em Contato

Carrinho de compras