Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de energia industrial e de veículos elétricos.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 2400 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 4800 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FZ2400R17HE4P_B9?
O módulo IGBT FZ2400R17HE4P_B9 possui tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ2400R17HE4P_B9?
A faixa de temperatura de operação do FZ2400R17HE4P_B9 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do FZ2400R17HE4P_B9?
O FZ2400R17HE4P_B9 utiliza tecnologia IGBT 4, possui diodo de freewheeling integrado, oferece baixas perdas de condução e comutação, e apresenta alta densidade de potência. O componente é encapsulado em Press-Pack.