Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 600 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Corrente de porta | emissor (Ig): ±20 mA |
| Tensão de porta | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.04 K/W |
| Temperatura máxima de operação da junção | 150 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Construção robusta para aplicações exigentes
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo IGBT FZ600R17KE3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.
Qual a temperatura máxima de operação deste módulo?
A temperatura máxima de operação da junção é de 150 °C.
Quais são algumas das características deste módulo de potência?
Este módulo utiliza tecnologia IGBT 3, apresenta baixas perdas de condução e comutação, alta densidade de potência e possui construção robusta para aplicações exigentes.