Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 150 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de roda livre | Emitter Controlled Diode 4 |
| Configuração | 3 fases (3-Phase Bridge) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 300 A |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Resistência térmica junção | a-case (Rth(j-c)): 0.18 K/W (típico) |
| Número de componentes | 6x IGBT + 6x Diode |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo de potência Infineon F4-150R17ME4_B11?
A tensão de coletor-emissor (Vces) suportada é de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo Infineon F4-150R17ME4_B11?
O módulo Infineon F4-150R17ME4_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais são as principais características técnicas do Infineon F4-150R17ME4_B11?
O módulo possui tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4, diodo de roda livre Emitter Controlled Diode 4, configuração de 3 fases (3-Phase Bridge), corrente contínua do coletor (Ic) de 150 A, corrente de pico do coletor (Icm) de 300 A, e é encapsulado em um package EconoDUAL™ 3, contendo 6x IGBTs e 6x diodos.