Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
| Diodo de roda livre | Emitter Controlled Diode 3 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
| Isolamento galvânico | Sim |
FAQ
Qual a tensão suportada pelo IGBT FF200R17KE3?
O IGBT FF200R17KE3 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Quais as temperaturas de operação do FF200R17KE3?
O FF200R17KE3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FF200R17KE3?
O FF200R17KE3 é utilizado em inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação.