Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 450 A |
| Corrente nominal do coletor contínua (Ic,cont) | 450 A |
| Corrente nominal do coletor pulsada (Icm) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Tensão de isolamento | 4000 Vrms |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de isolamento do FF450R17ME4P?
O módulo de potência FF450R17ME4P possui tensão de isolamento de 4000 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF450R17ME4P?
A temperatura de operação do FF450R17ME4P é de -40 °C a 125 °C.
Quais as características do IGBT presente no FF450R17ME4P?
O FF450R17ME4P utiliza tecnologia IGBT 4, possui tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1700 V, corrente nominal do coletor (Ic) e corrente contínua (Ic,cont) de 450 A, corrente pulsada (Icm) de 900 A, tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 2.1 V, tensão de limiar gate-emissor (VGE(th)) de 5.5 V e corrente de gate (Ig) de 200 mA. Além disso, possui diodo de roda livre integrado (Fast Diode) e resistência térmica junção-case (RthJC) de 0.06 K/W.