Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 800 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 1600 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF800R17KP4_B2?
O módulo IGBT FF800R17KP4_B2 opera com uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Quais as características de corrente e temperatura do FF800R17KP4_B2?
A corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 800 A, com corrente nominal pulsada do coletor (Icm) de 1600 A. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C. A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.02 K/W.
Quais as principais características de tecnologia e encapsulamento do FF800R17KP4_B2?
O FF800R17KP4_B2 utiliza tecnologia IGBT 4, oferecendo baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência. O encapsulamento é do tipo Press-Pack.