Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia robustas.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 2400 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 4800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Construção robusta para aplicações industriais
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FZ2400R12HP4_B9?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A temperatura de operação (Tj) varia de -40 °C a +150 °C.
Quais as características de corrente do FZ2400R12HP4_B9?
A corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 2400 A, e a corrente nominal pulsada do coletor (Icm) é de 4800 A. A corrente de fuga reversa (Ir) é de 10 mA.
Quais são os benefícios da tecnologia e construção do FZ2400R12HP4_B9?
O FZ2400R12HP4_B9 utiliza tecnologia IGBT 4, oferecendo baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência. Sua construção robusta é ideal para aplicações industriais.