Infineon FZ1800R12HE4_B9

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e de veículos elétricos.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e de veículos elétricos.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 1800 A
Tecnologia IGBT High Efficiency
Tipo de módulo Press-Pack
Número de fases 1
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 100 mA
Temperatura de operação -40 °C a 125 °C
Resistência térmica junção a-caixa (RthJC): 0.02 K/W
Aplicações Inversores de alta potência, acionamentos de motores, fontes de alimentação

Recursos

  • Conformidade com RoHS

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do módulo FZ1800R12HE4_B9?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do módulo FZ1800R12HE4_B9 é de 1200 V.

Em qual faixa de temperatura o módulo FZ1800R12HE4_B9 opera?

O módulo FZ1800R12HE4_B9 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 125 °C.

Quais são as aplicações típicas do módulo FZ1800R12HE4_B9?

O módulo FZ1800R12HE4_B9 é projetado para aplicações como inversores de alta potência, acionamentos de motores e fontes de alimentação.

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