Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 2400 A |
| Corrente nominal do coletor contínua (Ic,cont) | 2400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Corrente de porta | emissor (Ige): ±200 mA |
| Tensão de porta | emissor (Vge): ±20 V |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | HPS (High Power Module) |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FZ2400R12HP4?
O módulo IGBT FZ2400R12HP4 opera com uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V e uma tensão de porta-emissor (Vge) de ±20 V.
Quais as características de corrente e temperatura do FZ2400R12HP4?
Este módulo suporta uma corrente nominal do coletor (Ic) e contínua (Ic,cont) de 2400 A. Sua temperatura de operação varia de -40°C a +125°C.
Qual o tipo de encapsulamento e quais as vantagens do FZ2400R12HP4?
O FZ2400R12HP4 é encapsulado em um módulo de alta potência (HPS). Ele utiliza tecnologia IGBT 4, possui baixas perdas de condução e comutação, alta densidade de potência e isolamento galvânico integrado.