Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 1600 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 3200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 500 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
| Aplicações | Inversores de alta potência, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FZ1600R12HP4?
O módulo IGBT FZ1600R12HP4 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o FZ1600R12HP4 pode operar?
O FZ1600R12HP4 opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40 °C a +150 °C.
Quais são algumas das aplicações típicas do FZ1600R12HP4?
O FZ1600R12HP4 é projetado para aplicações como inversores de alta potência, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores industriais.