Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.45 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo Infineon F4-75R12KS4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo Infineon F4-75R12KS4 opera em uma faixa de temperatura de junção de -40 °C a 150 °C.
Quais são as principais características de performance do F4-75R12KS4?
O módulo utiliza tecnologia IGBT 4, possui baixas perdas de condução e comutação, além de isolamento galvânico integrado. Sua corrente nominal do coletor (Ic) é de 75 A, e a corrente nominal do coletor pulsada (Ic, pulsado) é de 150 A.