Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tecnologia | IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Máxima Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Máxima de Coletor (Ic) | 150 A |
| Corrente Máxima de Coletor Pulsada (Icm) | 300 A |
| Tensão Máxima Gate | Emissor (Vgem): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.25 K/W |
| Corrente de Fuga (Ic, Vce=1200V, Vge=0V) | 2 mA |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 °C a +125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de Transistores | 6 |
| Diodos de Roda Livre Integrados | Sim (Fast Diode) |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no FF150R12KS4?
O FF150R12KS4 utiliza a tecnologia IGBT4.
Quais as faixas de temperatura de operação do FF150R12KS4?
O FF150R12KS4 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +125 °C.
Qual a tensão máxima de coletor-emissor e a corrente máxima do coletor do FF150R12KS4?
A tensão máxima Coletor-Emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente máxima de coletor (Ic) é de 150 A.