Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic contínua a 100°C) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.04 K/W |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, drives de motor AC, fontes de alimentação industriais. |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FF200R12KS4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em quais aplicações o FF200R12KS4 é tipicamente utilizado?
O FF200R12KS4 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia eólica, drives de motor AC e fontes de alimentação industriais.
Quais são as características de temperatura do FF200R12KS4?
A temperatura de operação do FF200R12KS4 varia de -40°C a +125°C e a resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.04 K/W.