Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações industriais exigentes.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 400 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores, fontes de alimentação, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do FF400R12KE3_B2?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 400 A. A corrente nominal do coletor pulsada (Ic, pulsado) é de 800 A.
Quais as aplicações típicas do FF400R12KE3_B2 e qual sua faixa de temperatura de operação?
O FF400R12KE3_B2 é indicado para aplicações como inversores, fontes de alimentação e acionamentos de motor. Sua temperatura de operação varia de -40 °C a +125 °C.
Qual o package e tecnologia IGBT utilizada no FF400R12KE3_B2?
O FF400R12KE3_B2 utiliza o package EconoDUAL™ 3 e a tecnologia IGBT 4.