Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 225 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 2 |
| Configuração | Half-bridge |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente nominal do FF225R12ME4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é 1200 V e a corrente nominal contínua do coletor (Ic) é 225 A.
Quais as temperaturas de operação do FF225R12ME4 e qual seu tipo de encapsulamento?
O FF225R12ME4 opera entre -40 °C a 125 °C e possui encapsulamento Press-Pack.
Em quais aplicações o FF225R12ME4 pode ser utilizado?
O FF225R12ME4 é adequado para inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação industriais.