Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio rápido, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de Freio Rápido (Fast Diode)
- Baixas Perdas de Condução e Comutação
- Isolamento Térmico Integrado
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do FF200R12KE3?
O módulo de potência FF200R12KE3 da Infineon opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Qual a tensão de coletor-emissor e a corrente contínua do FF200R12KE3?
A tensão coletor-emissor (Vces) do FF200R12KE3 é de 1200 V e sua corrente contínua de coletor (Ic) é de 200 A.
Quais as principais características do FF200R12KE3?
O FF200R12KE3 utiliza a tecnologia IGBT 4, possui um Diodo de Freio Rápido, apresenta baixas perdas de condução e comutação, e conta com isolamento térmico integrado.