Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de energia industrial.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 450 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de roda livre | SiC Schottky |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 900 A |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.04 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo IGBT FF450R12ME4P?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em quais aplicações o módulo FF450R12ME4P é tipicamente utilizado?
O módulo é utilizado em inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação.
Quais as principais características do diodo de roda livre integrado ao FF450R12ME4P?
O diodo de roda livre é do tipo SiC Schottky e o módulo possui baixas perdas de condução e comutação.