Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.15 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, drives de motor, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FF200R12KS4P?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FF200R12KS4P é de 1200 V.
Em quais aplicações o FF200R12KS4P é tipicamente utilizado?
O FF200R12KS4P é projetado para aplicações como inversores solares, drives de motor e fontes de alimentação.
Qual a temperatura de operação do FF200R12KS4P?
O FF200R12KS4P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.