Descrição
Módulo de potência IGBT de alta tensão da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 1200 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico integrado
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do módulo DD1200S12H4?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do módulo DD1200S12H4 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo DD1200S12H4 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as características da tecnologia IGBT presente no DD1200S12H4?
O DD1200S12H4 utiliza tecnologia IGBT de alta performance, com baixas perdas de condução e chaveamento, alta densidade de potência e isolamento térmico integrado.