Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre, projetado para aplicações de energia industrial.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 750 A |
| Tecnologia | TrenchField IGBT3 |
| Diodo de roda livre | SiC |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 500 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | Module |
| Configuração | Half-bridge |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.03 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do IGBT FZ750R65KE3?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FZ750R65KE3 é de 650 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FZ750R65KE3?
A temperatura de operação do módulo FZ750R65KE3 varia de -40 °C a 150 °C.
Quais são algumas aplicações típicas do módulo de potência FZ750R65KE3?
O módulo de potência FZ750R65KE3 é utilizado em aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.