Infineon FF225R65T3E3

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Módulo de potência IGBT de 650V com tecnologia TRENCHSTOP™ 5, projetado para aplicações de alta eficiência em inversores e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de 650V com tecnologia TRENCHSTOP™ 5, projetado para aplicações de alta eficiência em inversores e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 650 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 225 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Corrente de pulso do coletor (Icm) 450 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 300 nA
Temperatura de operação (Tj) -40°C a +150°C
Package EconoDUAL™ 3
Configuração 3-fase
Diodo integrado Sim
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.18 K/W

FAQ

Qual a tensão máxima que o IGBT FF225R65T3E3 suporta?

A tensão coletor-emissor (Vces) máxima é de 650 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FF225R65T3E3?

O módulo FF225R65T3E3 opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40°C a +150°C.

Quais são as características de corrente do FF225R65T3E3?

A corrente contínua do coletor (Ic) é de 225 A e a corrente de pulso do coletor (Icm) é de 450 A. A corrente de gate (Ig) é de 300 nA.

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