Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 500 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 1000 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-IGBT com diodo de roda livre |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3ª Geração (TrenchStop™)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FD500R65KE3-K?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 650 V. A temperatura de operação varia de -40 °C a +150 °C.
Quais as principais características do FD500R65KE3-K?
O FD500R65KE3-K utiliza tecnologia IGBT de 3ª Geração (TrenchStop™), possui baixas perdas de condução e comutação, e alta densidade de potência. Sua corrente nominal do coletor (Ic) é de 500 A, com corrente de pico (Icm) de 1000 A.
Em quais aplicações o FD500R65KE3-K é tipicamente utilizado?
O FD500R65KE3-K é projetado para aplicações como inversores solares e fontes de alimentação. Ele possui configuração 6-IGBT com diodo de roda livre e está encapsulado em um Package EconoDUAL™ 3.