Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT de 650V, 250A, com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3 e diodo Emitter Controlled 3.
Especificações
| Tensão do Coletor | Emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente Contínua do Coletor (Ic) | 250 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
| Tecnologia do Diodo | Emitter Controlled 3 |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de Pico do Coletor (Icm) | 500 A |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6 half bridges |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.05 K/W |
FAQ
Qual a tensão de isolação máxima suportada pelo FD250R65KE3-K?
A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada é de 650 V.
Quais as características térmicas do FD250R65KE3-K?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40 °C a +150 °C, e a resistência térmica (RthJC) é de 0.05 K/W.
Qual a tecnologia IGBT e do diodo utilizada no FD250R65KE3-K?
O FD250R65KE3-K utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3 e diodos Emitter Controlled 3.