Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e de transporte.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 4500 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.5 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (VGE(th)) | 5.0 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 2 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +125 °C |
| Package | Press-Pack |
| Aplicações | Drives de motores, fontes de alimentação de alta potência, sistemas de energia renovável |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FZ1200R45HL4_S7?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FZ1200R45HL4_S7 é de 4500 V.
Em quais temperaturas o FZ1200R45HL4_S7 pode operar?
O FZ1200R45HL4_S7 pode operar em temperaturas de -40 °C a +125 °C.
Quais são as aplicações típicas do FZ1200R45HL4_S7?
As aplicações típicas do FZ1200R45HL4_S7 incluem drives de motores, fontes de alimentação de alta potência e sistemas de energia renovável.