Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal | 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua (Tc=100°C) | 2000 A |
| Corrente nominal pulsada (Tp=1ms) | 2800 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)) @ 1500A, Vge=15V: ≤ 2.0 V |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | Press-Pack |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, acionamentos de motores de alta potência |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico otimizado
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente contínua do FZ2000R33HE4?
A tensão nominal do FZ2000R33HE4 é 3300 V e a corrente nominal contínua (Tc=100°C) é 2000 A.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FZ2000R33HE4?
O FZ2000R33HE4 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia eólica e acionamentos de motores de alta potência.
Qual a faixa de temperatura de operação e o tipo de encapsulamento do FZ2000R33HE4?
A temperatura de operação do FZ2000R33HE4 varia de -40°C a +125°C e o encapsulamento é Press-Pack.