Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e de transporte.
Especificações
| Tensão nominal | 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua (Tc=80°C) | 1600 A |
| Corrente nominal pulsada (Tp=1ms) | 2400 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) (Ic=1600A, Vge=15V) | 2.5 V |
| Tensão de gate Vge(th) | 5.5 V |
| Corrente de gate máxima | 500 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.018 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Diodo integrado | Sim (Fast Diode) |
| Aplicações | Inversores de alta potência, acionamentos de motores, sistemas de energia renovável |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal contínua do FZ1600R33HE4?
A tensão nominal do FZ1600R33HE4 é 3300 V, e a corrente nominal contínua (a Tc=80°C) é 1600 A.
Qual a faixa de temperatura de operação e o tipo de encapsulamento do FZ1600R33HE4?
A faixa de temperatura de operação do FZ1600R33HE4 é de -40°C a +125°C. O encapsulamento é do tipo Press-Pack.
Quais as aplicações típicas e qual a tecnologia IGBT utilizada no FZ1600R33HE4?
As aplicações típicas do FZ1600R33HE4 incluem inversores de alta potência, acionamentos de motores e sistemas de energia renovável. Este módulo utiliza tecnologia IGBT 4.