Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia renovável e industrial.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 825 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 1650 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Perda de energia por chaveamento (Eon/Eoff) | 150 J / 120 J (típico) |
| Temperatura de operação da junção | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
| Configuração | Ponte completa |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, sistemas de energia eólica |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal do FZ825R33HE4D?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 3300 V.
Em quais aplicações o FZ825R33HE4D é tipicamente utilizado?
O FZ825R33HE4D é projetado para aplicações como inversores solares, acionamentos de motores e sistemas de energia eólica.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ825R33HE4D?
A temperatura de operação da junção do FZ825R33HE4D varia de -40 °C a +150 °C.