Descrição
Módulo de potência IGBT de alta corrente com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 450 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.4 V |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Package | Module |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.06 K/W |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a corrente contínua máxima que o módulo pode conduzir?
O módulo Infineon FF450R33T3E3_B5 pode conduzir uma corrente contínua do coletor (Ic) de 450 A.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A temperatura de operação do módulo Infineon FF450R33T3E3_B5 está entre -40°C a +125°C.
Qual a tensão do coletor-emissor do IGBT e qual sua configuração?
A tensão do coletor: emissor (Vces) é de 3300 V. O módulo é configurado como 3-Phase Bridge.