Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 1000 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 2000 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 mA |
| Temperatura de operação da junção (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (HE)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Robusto e confiável para aplicações industriais
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo módulo DD1000S33HE3?
O módulo de potência IGBT DD1000S33HE3 da Infineon suporta uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 3300 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do DD1000S33HE3?
A temperatura de operação da junção (Tj) do módulo DD1000S33HE3 varia de -40 °C a +150 °C.
Quais as principais aplicações do módulo DD1000S33HE3?
O módulo DD1000S33HE3 é projetado para aplicações de inversor solar e UPS. Ele possui alta densidade de potência e é robusto e confiável para aplicações industriais, com tecnologia IGBT de alta eficiência.