Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT de alta eficiência, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Configuração de meio ponte (Half | bridge) |
|---|---|
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de isolação | 4000 Vrms |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3300V
- Corrente nominal de 1000A
- Baixas perdas de condução e comutação
- Baixa indutância interna
- Ideal para inversores solares e sistemas de energia renovável
- Componente de alta confiabilidade e robustez
FAQ
Qual a configuração do FD1000R33HE3-K?
O módulo de potência Infineon FD1000R33HE3-K possui configuração de meio ponte (Half-bridge).
Quais as temperaturas de operação do FD1000R33HE3-K?
O FD1000R33HE3-K opera em temperaturas que variam de -40°C a +125°C.
Quais as aplicações típicas do FD1000R33HE3-K?
O FD1000R33HE3-K é ideal para inversores solares e sistemas de energia renovável. Este módulo IGBT de alta eficiência é projetado para estas aplicações.