Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 e diodo de emissão de fluxo livre Emitter Controlled 7. Projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT7 |
|---|---|
| Classe de Tensão | 2300 V |
| Corrente Nominal (Ic) | 1800 A |
| Corrente de Pico (Icm) | 2500 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Package | Module |
| Configuração | 1-phase bridge |
| Dissipação de Potência (Ptot) | 10000 W |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.02 K/W |
| Tensão de Isolamento (Viso) | 4800 Vrms |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no Infineon FF1800R23IE7P?
O módulo de potência Infineon FF1800R23IE7P utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7.
Quais as temperaturas de operação do FF1800R23IE7P?
O módulo Infineon FF1800R23IE7P opera em temperaturas que variam de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do FF1800R23IE7P?
O Infineon FF1800R23IE7P é projetado para aplicações em inversores solares e sistemas de energia renovável.