Infineon FS75R17W2E4P_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 75 A
Tecnologia IGBT Trench/Fieldstop
Diodo de roda livre SiC
Package EconoDUAL™ 3
Configuração 6-pack
Tensão de isolamento 4000 Vrms
Temperatura de operação -40°C a +125°C
Aplicações Inversores solares, UPS, acionamentos de motor

Recursos

  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FS75R17W2E4P_B11?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FS75R17W2E4P_B11 é de 1700 V.

Em quais aplicações o FS75R17W2E4P_B11 pode ser utilizado?

O FS75R17W2E4P_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS e acionamentos de motor.

Qual o tipo de tecnologia IGBT e o tipo de diodo de roda livre utilizados no FS75R17W2E4P_B11?

O FS75R17W2E4P_B11 utiliza a tecnologia IGBT Trench/Fieldstop e diodo de roda livre SiC.

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