Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e de energia renovável.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 450 A |
| Tecnologia IGBT | Trench/Fieldstop |
| Diodo de roda livre | SiC (Carbeto de Silício) |
| Configuração | 6 half-bridges |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.85 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.04 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Interface de gate | Press-fit |
FAQ
Qual a tensão suportada pelo IGBT FS450R17OE4P?
O módulo IGBT FS450R17OE4P suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS450R17OE4P?
A temperatura de operação do FS450R17OE4P varia de -40 °C a +125 °C.
Quais as características do diodo de roda livre do FS450R17OE4P?
O FS450R17OE4P utiliza diodos de roda livre em SiC (Carbeto de Silício), com uma corrente de fuga reversa (Ir) de 10 mA.