Infineon FS500R17OE4DP

Avaliado como 5.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

SKU: FS500R17OE4DP Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 500 A
Corrente nominal contínua do coletor (Ic,cont) 350 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Resistência térmica junção a-carcaça (RthJC): 0.05 K/W
Tensão de isolamento (Viso) 3000 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Montagem em parafuso

FAQ

Qual a tensão nominal de isolamento do FS500R17OE4DP?

A tensão de isolamento (Viso) do módulo é de 3000 Vrms.

Qual a faixa de temperatura de operação do FS500R17OE4DP?

O FS500R17OE4DP opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.

Quais as principais características do encapsulamento e tecnologia do FS500R17OE4DP?

O FS500R17OE4DP utiliza a tecnologia IGBT 4, possui diodo de freio integrado e é encapsulado em EconoDUAL™ 3, com montagem por parafuso.

Entre em Contato

Carrinho de compras