Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal | 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua (Tc=100°C) | 200 A |
| Corrente nominal pulsada (Tp=1ms) | 400 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) (Ic=200A, Vge=15V) | 2.2 V (máx.) |
| Tensão de gate | emissor Vge(th): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate | emissor Vge: ±20 V (máx.) |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 4 |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT3
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do módulo Infineon F4-200R17N3E4_B58?
A tensão nominal do módulo é de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo Infineon F4-200R17N3E4_B58 opera na faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as principais características do IGBT utilizado no módulo?
O módulo utiliza tecnologia IGBT3, com baixas perdas de condução e chaveamento, além de apresentar alta densidade de potência.