Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Configuração | 3 fases (3-Phase Bridge) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, drives de motor AC, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon F4-200R17N3E4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência Infineon F4-200R17N3E4?
Este módulo é projetado para diversas aplicações, incluindo inversores solares, sistemas de energia eólica, drives de motor AC e fontes de alimentação industriais.
Quais as características do diodo de freio integrado neste módulo?
O Infineon F4-200R17N3E4 possui um diodo de freio integrado (Fast Diode) e apresenta baixas perdas de condução e comutação.