Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop Generation 7 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 225 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Configuração | Half-bridge |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores industriais |
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente contínua do coletor do FF225R17ME7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V, e a corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 225 A.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FF225R17ME7_B11 e qual sua faixa de temperatura de operação?
O FF225R17ME7_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores industriais. Sua faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Qual o tipo de tecnologia IGBT utilizada e qual o package do FF225R17ME7_B11?
Este módulo utiliza a tecnologia IGBT Trench Fieldstop Generation 7. O package é EconoDUAL™ 3.